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集成电路 单片机

DMN3033LDM-7--物料 MOSFET NMOS-SINGLE

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Description

产品种类：
MOSFET
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
30 V
闸/源击穿电压：
+/- 20 V
漏极连续电流：
6.9 A
导通电阻：
25 mOhms
配置：
Single Quad Drain
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装 / 箱体：
SOT-26-6
封装：
Reel
商标：
Diodes Incorporated
下降时间：
30 ns
最小工作温度：
- 55 C
功率耗散：
2000 mW
上升时间：
7 ns
系列：
DMN3033
工厂包装数量：
3000
典型关闭延迟时间：
63 ns
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